特許

J-GLOBAL ID：200903013459277668

半導体素子製造用洗浄剤及びそれを用いた半導体素子の製造方法

発明者： 後藤 日出人 ,  松井 剛 ,  丹生谷 貴行 ,  青山 哲男 ,  丸山 岳人 ,  刈田 哲也 ,  安倍 幸次郎 ,  石原 福三郎 ,  外赤 隆二
出願人/特許権者： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 ,  三菱瓦斯化学株式会社
代理人 (1件)： 大谷 保
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-132228
公開番号（公開出願番号）：特開平11-323394
出願日： 1998年05月14日
公開日（公表日）： 1999年11月26日
要約：

【要約】【課題】 ヴィアホール及び金属配線をドライエッチングで形成加工する際に、ヴィアホール内部及び周辺、金属配線の側壁などに付着した堆積ポリマーを、それぞれの指定寸法を損なうことなく、効果的に除去する半導体素子製造用洗浄剤、及びそれを用いた半導体素子の製造方法を提供すること。【解決手段】 (A)含フッ素化合物、(B)ホウ酸塩、(C)水溶性有機溶剤、及び場合により(D)特定の第四級アンモニウム塩又は(D’)特定の有機カルボン酸アンモニウム塩や有機カルボン酸アミン塩を含有する水溶液からなる半導体素子製造用洗浄剤、並びにドライエッチング加工により形成されたヴィアホール又は金属配線を上記洗浄剤で洗浄処理し、ヴィアホールの内部やヴィアホール、金属配線の周辺に付着した堆積ポリマーを除去する半導体素子の製造方法である。

請求項（抜粋）：

(A)含フッ素化合物、(B)ホウ酸塩及び(C)水溶性有機溶剤を含有する水溶液からなる半導体素子製造用洗浄剤。

IPC (7件)：

C11D 7/32 ,  C11D 7/10 ,  C11D 7/50 ,  C11D 7/60 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 647 ,  H01L 21/3213

FI (7件)：

C11D 7/32 ,  C11D 7/10 ,  C11D 7/50 ,  C11D 7/60 ,  H01L 21/304 647 A ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/88 C