特許

J-GLOBAL ID：200903013461965369

半導体装置及びその製造方法

発明者： 小林 節子 ,  今井 聖支 ,  四戸 孝
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-200224
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026341
出願日： 2000年06月30日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】 オン抵抗が低く且つ漏れ電流の少ない半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 表面に凸部が形成された第1の半導体層2を有する基板と、第1の半導体層2上に形成され、第1の半導体層2の半導体材料よりも熱伝導率の低い金属材料からなる電極層4と、凸部の上部領域に選択的に形成され、第1の半導体層2の構成材料と電極層4の構成材料との合金からなる合金層5とを備える。

請求項（抜粋）：

表面に凸部が形成された第1の半導体層を有する基板と、前記第1の半導体層上に形成され、前記第1の半導体層の半導体材料よりも熱伝導率の低い金属材料からなる電極層と、前記凸部の上部領域に選択的に形成され、前記第1の半導体層の構成材料と前記電極層の構成材料との合金からなる合金層と、を備えたことを特徴とする半導体装置。

FI (3件)：

H01L 29/48 F ,  H01L 29/48 D ,  H01L 29/48 P

Fターム (14件)：

4M104AA04 ,  4M104AA10 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD78 ,  4M104DD81 ,  4M104DD83 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104HH18 ,  4M104HH20