特許

J-GLOBAL ID：200903013462915225

強誘電体メモリ素子及びその製造方法

発明者： 長田 昌也 ,  荻本 泰史 ,  松永 宏典
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-208705
公開番号（公開出願番号）：特開平10-056140
出願日： 1996年08月08日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、下部電極の剥離がなく、かつ強誘電体薄膜の膜特性の劣化を抑制できる強誘電体メモリ素子及びその製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】 半導体基板10上に下部電極、強誘電体薄膜、及び上部電極が順次積層されて構成された強誘電体メモリ素子において、下部電極として、Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,及びWの窒化物の中から選択される材料から成る窒化物薄膜4と、該窒化物薄膜4上にPtから成るPt薄膜5と、該Pt薄膜5上にRu,Ir,Re,Os,及びRhの中から選択される材料の酸化物から成る酸化物薄膜6とを備えて構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に下部電極、強誘電体薄膜、及び上部電極が順次積層されて構成された強誘電体メモリ素子において、下部電極として、Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,及びWの窒化物の中から選択される材料から成る窒化物薄膜と、該窒化物薄膜上にPtから成るPt薄膜と、該Pt薄膜上にRu,Ir,Re,Os,及びRhの中から選択される材料の酸化物から成る酸化物薄膜とを備えたことを特徴とする強誘電体メモリ素子。

IPC (5件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (3件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651