特許

J-GLOBAL ID：200903013468745496

プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

発明者： 加治 哲徳 ,  濱崎 良二 ,  小野 哲郎 ,  縄田 誠
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高田 幸彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-258243
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150488
出願日： 1994年06月10日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】フッ素原子を含むガスプラズマを使用するプラズマ処理において、プラズマ処理速度の低下を防止したプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】プラズマ発生装置及び真空処理室を備えたプラズマ処理装置によるプラズマ処理方法において、前記プラズマ発生装置により塩素及びフッ素を含む処理ガスをプラズマ化するステップと、前記真空処理室内で、該処理ガスのプラズマを用いて酸化シリコン膜を有する試料をエッチング処理するステップと、前記プラズマ発生装置により、リフォーミングガスをプラズマ化するステップと、該リフォーミングガスを用いて、前記プラズマ処理装置内の前記処理ガスに接した部分をリフォーミングするステップとを含むことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

プラズマ発生装置及び真空処理室を備えたプラズマ処理装置によるプラズマ処理方法において、前記プラズマ発生装置により塩素及びフッ素を含む処理ガスをプラズマ化するステップと、前記真空処理室内で、該処理ガスのプラズマを用いて酸化シリコン膜を有する試料をエッチング処理するステップと、前記プラズマ発生装置により、リフォーミングガスをプラズマ化するステップと、該リフォーミングガスを用いて、前記プラズマ処理装置内の前記処理ガスに接した部分をリフォーミングするステップとを含む、ことを特徴とする酸化シリコン膜を有する試料のプラズマ処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/44 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205

FI (5件)：

H01L 21/302 B ,  C23C 16/44 J ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 F

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体製造装置のクリーニング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-271850   出願人：株式会社東芝