特許
J-GLOBAL ID：200903013472343092
立体閉磁路磁心型インダクタンス素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-255375
公開番号（公開出願番号）：特開平6-096951
出願日： 1991年10月02日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】【目的】本発明は高周波薄膜インダクタンス素子のマイクロ化に伴い微細化される磁心の反磁界や磁心の特性劣化を防ぎ、磁心を有効に利用するための立体閉磁路磁心型インダクタンス素子を提供する。【構成】基板100上に下部磁心201を配設し、この下部磁心201上に絶縁膜を介して下部励磁導体101を配設する。この下部励磁導体101上に絶縁膜を介して上部磁心202を配設し、この上部磁心202上に絶縁膜を介して上部励磁導体102を配設して構成する。
請求項（抜粋）：
薄膜励磁導体の回りに薄膜磁心を配設するインダクタンス素子において、上部磁心及び下部磁心により立体閉磁路を構成する磁心が一個もしくは複数個からなることを特徴とする立体閉磁路磁心型インダクタンス素子。
IPC (3件)：
H01F 17/00
, H01F 10/06
, H01F 15/14
