特許
J-GLOBAL ID：200903013473614111
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-283240
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036719
出願日： 1991年10月29日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 三重拡散構造を有するソース/ドレイン領域の低濃度不純物層を、熱拡散のための熱処理を必要とすることなく、形成するとともに、ゲート電極と精度よくオーバーラップさせる。【構成】 まずp型の半導体基板11上に形成したゲート電極14をマスクとして、n型不純物を半導体基板表面に対して所定の角度をなして斜め方向から注入することにより、低濃度不純物層15c,16cを形成する。その後、ゲート電極の側壁に、サイドウォールスペーサ17を形成した後、n型の不純物を、斜め方向から注入することにより、中濃度不純物層15b,16bを形成する。その後さらに、n型の不純物を、半導体基板表面に対して略垂直の方向から注入することにより、高濃度不純物層15a,16aを形成する。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板上に、ゲート絶縁膜を介在させて、ゲート電極を形成する工程と、このゲート電極の側壁に、サイドウォールスペーサを形成する工程と、前記ゲート電極および前記サイドウォールスペーサをマスクとして、第2導電型の不純物を、前記半導体基板表面に対して所定の傾斜角をなして斜め方向から注入することにより、低濃度不純物拡散層を形成する工程と、前記ゲート電極および前記サイドウォールスペーサをマスクとして、第2導電型の不純物を、前記半導体基板表面に対して略垂直な方向から注入することにより、高濃度不純物拡散層を形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 21/265
, H01L 27/092
H01L 29/78 301 Y
, H01L 21/265 V
, H01L 21/265 L
, H01L 27/08 321 E
, H01L 29/78 301 L
