特許

J-GLOBAL ID：200903013474132218

光導波路の形成方法および光導波路素子

発明者： 鶴岡 泰治
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 前田 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-001352
公開番号（公開出願番号）：特開平11-194221
出願日： 1998年01月07日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：

【要約】【課題】 基板上に光導波路、特に、下部クラッド層、を効率よく且つ高密度、高精度に形成可能な光導波路の形成方法を提供すること。【解決手段】 Siウェーハの基板20(図4(a))の表面のうち下部クラッド層を形成しようとする領域を除きマスク21で覆う(図4(c))。また基板20の裏面側には、Al電極22および保護用のワックス層23を形成する(図4(d))。そして、これを陽極酸化することで、マスク21に覆われていなかった領域を多孔質シリコンにする(図4(e))。この多孔質シリコンの厚さ、屈折率等は、陽極酸化の際の条件によって所望の値に制御できる。陽極酸化後は、Al電極22およびワックス層23を除去する(図4(f))。従って、この多孔質シリコンを下部クラッド層として利用することができる。コア層、上部クラッド層は、この下部クラッド層の上に形成する。

請求項（抜粋）：

Si層上に形成される下部クラッド層、コア層および上部クラッド層を備えて構成される光導波路の形成方法において、Si層における所望の領域を陽極酸化することで多孔質シリコンとし、前記多孔質シリコンを下部クラッド層として、この上にコア層を形成し、さらに、前記コア層を覆って上部クラッド層を形成することを特徴とする光導波路の形成方法。