特許
J-GLOBAL ID：200903013474814963

電磁ビーム放出オプトエレクトロニクス構成素子のためのケーシング及び電磁ビーム放出オプトエレクトロニクス構成素子及び電磁ビーム放出オプトエレクトロニクス構成素子のためのケーシングの又はこのようなケーシングを有する電磁ビーム放出構成素子の製造のための方法

発明者：
ルーカス シュヴェンクシュースター

ルーカス シュヴェンクシュースター について

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マルティン ヴュラー

マルティン ヴュラー について

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ヨアヒム ライル

ヨアヒム ライル について

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モーリッツ エングル

モーリッツ エングル について


出願人/特許権者：
オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング

オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング について


代理人 (6件)： 矢野 敏雄 ,  山崎 利臣 ,  久野 琢也 ,  杉本 博司 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  ラインハルト・アインゼル
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-268657
公開番号（公開出願番号）：特開2007-103937
出願日： 2006年09月29日
公開日（公表日）： 2007年04月19日
要約：
【課題】技術的に簡単な手段によって実現可能な放射特性に関して公知のケーシングに比べて改善された電磁ビーム放出オプトエレクトロニクス構成素子のためのケーシングを提供し、このようなケーシングを有する構成素子及びこのようなケーシングの製造のための方法を提供することである。【解決手段】上記課題は、ケーシングボディの外面には少なくとも部分的に遮蔽層が設けられており、この遮蔽層は電磁ビームを遮蔽するのに適しており、外面はケーシングの放射側に設けられており、切欠部に隣接していることによって解決される。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
電磁ビーム放出オプトエレクトロニクス構成素子のためのケーシングであって、該ケーシングは切欠部を有するケーシングボディを有し、該切欠部の中には少なくとも1つのチップマウント面が設けられている、電磁ビーム放出オプトエレクトロニクス構成素子のためのケーシングにおいて、 ケーシングボディの外面には少なくとも部分的に遮蔽層が設けられており、該遮蔽層は電磁ビームを遮蔽するのに適しており、前記外面はケーシングの放射側に設けられており、前記切欠部に隣接していることを特徴とする、電磁ビーム放出オプトエレクトロニクス構成素子のためのケーシング。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 23/02
FI (2件)：
H01L33/00 N ,  H01L23/02 F
Fターム (9件)：
5F041DA12 ,  5F041DA13 ,  5F041DA19 ,  5F041DA34 ,  5F041DA35 ,  5F041DA36 ,  5F041EE23 ,  5F041EE24 ,  5F041EE25
引用特許：
出願人引用 (9件)
  • US5040868
  • DE10315131A1
  • DE10036940
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審査官引用 (3件)
  • 発光素子収納用パッケージ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-073277   出願人：京セラ株式会社
  • 発光ダイオード
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-291147   出願人：日亜化学工業株式会社
  • 薄型発光装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-307938   出願人：市光工業株式会社

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