特許
J-GLOBAL ID：200903013475038258
単結晶の引上方法及びその製造装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-158217
公開番号（公開出願番号）：特開平7-010682
出願日： 1993年06月29日
公開日（公表日）： 1995年01月13日
要約：
【要約】【目的】 半導体単結晶の引上速度を向上すると共に、不純物による汚染を防止する点。【構成】 半導体単結晶用原料を収納する耐熱容器を囲む有底筒状の保温部材の開口部を輻射熱反射筒により覆って、耐熱容器内の半導体単結晶用原料の融液の温度勾配を改良するか、半導体単結晶用原料を収納する耐熱容器に重ねられる円筒容器を引上装置のチャンバ-の径小部を上下可能にして、引上単結晶の汚染を防止する。
請求項（抜粋）：
耐熱容器内に単結晶用融液を収容する工程と,前記耐熱容器を囲んで環状の加熱部材を設ける工程と,この加熱部材上端より上方に前記単結晶用融液表面を配置する工程と,前記耐熱容器及び加熱部材を有底筒状の保温部材内に収容する工程と,前記耐熱容器を回転自在にする工程と,前記単結晶用融液表面に接触可能な種結晶を有底筒状の保温部材の開口部を通って配置する工程と,前記加熱部材部分の発熱量を他の部分より大きくする工程と,前記耐熱容器内の単結晶融液の深さに対応する加熱部材部分の発熱量を他部分のそれより1.5倍以上とする工程とを具備することを特徴とする単結晶の引上方法。
IPC (4件)：
C30B 15/00
, C30B 15/14
, C30B 29/06 502
, H01L 21/208
