特許
J-GLOBAL ID：200903013475757971
シリコン・オン・インシュレータ型集積回路のESD保護を与える方法及び構造体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外7名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-522290
公開番号（公開出願番号）：特表平10-512718
出願日： 1996年01月04日
公開日（公表日）： 1998年12月02日
要約：
【要約】シリコン・オン・インシュレータ(SOI)集積回路のためのESD保護を与える方法及び構造体が提供される。ESD保護回路は、絶縁層の上に形成された導電性パッド及び第1導体セグメントを備えている。第1導体セグメントは、介在する入力抵抗をもたずに、パッドを第1ノードに直結する。第1ダイオードが絶縁層上に形成され、そして第1ノードと第1電源レールとの間に接続される。同様に、第2ダイオードが絶縁層上に形成され、そして第1ノードと第2電源レールとの間に接続される。各ダイオードと直列にバラスト抵抗を含むことができる。これも又絶縁層の上に形成される交差電源クランプは、第1電源レールと、第2電源レールとの間に接続される。ESD保護回路の第1ノードは、保護されるべきSOI集積回路に接続される。ESD保護回路は、局部的な熱の発散を改善するために、最小数のシリコン島部に形成することができる。SOI集積回路の入力、出力及びI/Oピンに改善されたESD保護が与えられる一方、これらピンと集積回路との間の高速信号トラフィックが促進される。
請求項（抜粋）：
絶縁層の上に形成されたシリコン・オン・インシュレータ(SOI)集積回路を保護するための静電気放電(ESD)保護回路において、 絶縁層の上に形成された導電性パッドと、 絶縁層の上に形成され、上記パッドを第1ノードに直結する第1導体セグメントと、 絶縁層の上に形成された第1電源レールと、 絶縁層の上に形成された第2電源レールと、 絶縁層の上に形成され、上記第1ノードと第1電源レールとの間に接続された第1ダイオードと、 絶縁層の上に形成され、上記第1ノードと第2電源レールとの間に接続された第2ダイオードと、 絶縁層の上に形成され、上記第1電源レールと第2電源レールとの間に接続された交差電源クランプとを備え、ESD保護回路の上記第1ノードは、上記集積回路の一部分に接続されることを特徴とするESD保護回路。
IPC (2件)：
引用特許：
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