特許

J-GLOBAL ID：200903013478473010

半導体デバイスの製造方法

発明者： 浅井 優幸 ,  経田 昌幸 ,  佐々木 伸也
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 宮本 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-267708
公開番号（公開出願番号）：特開2007-077455
出願日： 2005年09月14日
公開日（公表日）： 2007年03月29日
要約：

【課題】剥離しにくく、金属の拡散に対してバリア性の高いチタン含有の窒化膜を形成できる半導体デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】複数の反応種を互いに混合させることなく処理室内に交互に供給し、基板上にチタン含有の窒化膜を形成する半導体デバイスの製造方法において、窒化膜の形成においては、少なくとも、チタンを含む反応種と水素を含む反応種とを交互に供給し、基板上に第1の層を形成する工程と、第1の層の形成工程後に、チタンを含む反応種と窒素を含む反応種とを交互に供給し、第1の層上に第2の層を形成する工程とを実施し、窒化膜の深さ方向において窒素の濃度を変化させる。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

複数の反応種を互いに混合させることなく処理室内に交互に供給し、基板上にチタン含有の窒化膜を形成する半導体デバイスの製造方法であって、 前記窒化膜の形成においては、少なくとも、 チタンを含む反応種と水素を含む反応種とを交互に供給し、基板上に第1の層を形成 する工程と、 前記第1の層の形成工程後に、チタンを含む反応種と窒素を含む反応種とを交互に供 給し、前記第1の層上に第2の層を形成する工程と、を実施し、 前記窒化膜の深さ方向において窒素の濃度を変化させることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。

IPC (2件)：

C23C 16/34 ,  H01L 21/285

FI (2件)：

C23C16/34 ,  H01L21/285 C

Fターム (15件)：

4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030LA15 ,  4M104BB30 ,  4M104BB38 ,  4M104DD43 ,  4M104DD44 ,  4M104FF13 ,  4M104HH05 ,  4M104HH08