特許

J-GLOBAL ID：200903013490333738

薄膜半導体装置およびその製造方法

発明者： 瀧澤 裕
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-187884
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153458
出願日： 1996年07月17日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：

【要約】【課題】アモルファス膜を結晶化した結晶化半導体膜を有する半導体装置において、結晶化半導体膜の結晶性を向上させ、同時に結晶核として作用する金属間化合物に起因する結晶化半導体膜の電気的特性の劣化を確実に抑止する。【解決手段】 アモルファス膜に、金属間化合物を形成する金属元素と、VIb族あるいはVII b族より選ばれた非金属元素とを導入し、熱処理によりアモルファス膜を結晶化させた後、より低温で熱処理工程を実行し、前記金属間化合物に前記非金属元素を反応させ、電気的に不活性は不定比化合物に変換する。

請求項（抜粋）：

アモルファス半導体膜の結晶化工程を含む半導体装置の製造方法において、前記アモルファス半導体膜中に、金属間化合物を形成する少なくとも一の金属元素と、VIb 族あるいはVIIb族あるいはNから選ばれる少なくとも一の非金属元素とを導入する工程と、前記金属元素および非金属元素を導入されたアモルファス半導体膜を、熱処理して結晶化させる結晶化工程とを含むことを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 627 G