特許
J-GLOBAL ID：200903013491703431
電界放射素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-010044
公開番号（公開出願番号）：特開平5-205615
出願日： 1992年01月23日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：
【要約】【目的】 電界放射素子の特性のバラツキと放射電流の経時変化を抑え、低電圧での電子放射を可能にする。【構成】 集束ビームを用いた直接エッチング、直接堆積により電界放射素子を製作する。
請求項（抜粋）：
電子を放射するエミッタと、このエミッタに引出し電界を印加するゲート電極及びエミッタとゲート電極を分離する絶縁層で構成された電界放射素子において、集束ビームを用いてゲート層、絶縁層をエッチングして円筒形状のゲート穴部を形成し、その後集束ビームを用いてゲート穴部にエミッタを堆積形成することを特徴とする電界放射素子の製造方法。
IPC (4件)：
H01J 9/02
, H01J 27/26
, H01J 31/00
, H01J 37/073
