特許

J-GLOBAL ID：200903013494212730

アノード・ボンディング型容量性センサ用電極構造及び方法

発明者： ウォーレン,キース・オー
出願人/特許権者： リットン・システムズ・インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 湯浅 恭三 (外6名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-525234
公開番号（公開出願番号）：特表平9-506178
出願日： 1995年03月24日
公開日（公表日）： 1997年06月17日
要約：

【要約】アノード・ボンディング型の容量性センサ(10)のガラス層(14、16)上の感知電極(24、26)は、電極(24、26)とガラス層(14、16)との間に窒素化合物を含む界面バリア膜を有する。1つの実施例では、容量性センサ(10)は、ガラス層(14、16)にアノード・ボンディングされたフレーム(18)にヒンジ的に取り付けられた感知素子(20)を有する慣性センサである。感知電極(24、26)は、次に、感知素子(20)の方向を向いたガラス層(14、16)の表面上に置かれる。感知素子(20)とフレーム(18)とは、好ましくは、シリコンから作られており、界面膜(46)は、好ましくは、窒化シリコンである。

請求項（抜粋）：

アノード・ボンディングされた容量性センサにおいて、 フレーム構造を有する感知素子と、 前記フレーム構造にアノード・ボンディングされ、前記感知素子に隣接して金属製感知電極を有する少なくとも1つのガラス層と、 前記ガラス層と前記金属製感知電極との間に配置された界面バリア層と、 を備えることを特徴とする容量性センサ。

IPC (3件)：

G01L 1/14 ,  G01L 9/12 ,  G01P 15/125

FI (3件)：

G01L 1/14 A ,  G01L 9/12 ,  G01P 15/125