特許

J-GLOBAL ID：200903013495383970

弾性表面波、疑似弾性表面波、縦波型疑似弾性表面波デバイス用四ほう酸リチウム単結晶ウェーハ及びその選択方法

発明者： 塩野 嘉幸 ,  丹野 雅行 ,  桑原 由則 ,  流王 俊彦 ,  角田 均
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 山本 亮一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-211545
公開番号（公開出願番号）：特開平11-055071
出願日： 1997年08月06日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 ウェーハの表面状態を測定方法によらない数値で判断し、チップの切り出し工程でのチップ飛散のない弾性表面波、疑似弾性表面波、縦波型疑似弾性表面波デバイス用四ほう酸リチウム単結晶ウェーハ及びその選択方法の提供。【解決手段】 電極が形成されないウェーハ面の状態が、表面粗さ計により測定されたプロファイルデータのパワースペクトルにより得られるパワーP(k)として0.01μm-1 以上10μm-1 以下の空間周波数k の範囲においてP(k)=10,000k-4 ÅÅμm 以下の範囲である四ほう酸リチウム単結晶ウェーハ、及び電極が形成されないウェーハ面の状態をパワースペクトルの値を用いて選択し、パワースペクトルにより得られるパワーP(k)を0.01μm-1 以上10μm-1 以下の空間周波数k の範囲においてP(k)=10,000k-4 ÅÅμm 以下の範囲とする四ほう酸リチウム単結晶ウェーハの選択方法。

請求項（抜粋）：

弾性表面波、疑似弾性表面波、縦波型疑似弾性表面波を送受信する電極が形成されないウェーハ面の状態が、表面粗さ計により測定されたプロファイルデータのパワースペクトルにより得られるパワーP(k)として0.01μm-1 以上10μm-1 以下の空間周波数k の範囲においてP(k)=10,000k-4 ÅÅμm 以下の範囲であることを特徴とする弾性表面波、疑似弾性表面波、縦波型疑似弾性表面波デバイス用四ほう酸リチウム単結晶ウェーハ。

IPC (3件)：

H03H 9/25 ,  C30B 29/22 ,  H03H 3/08

FI (3件)：

H03H 9/25 C ,  C30B 29/22 C ,  H03H 3/08