特許

J-GLOBAL ID：200903013497890675

半導体気相成長装置

発明者： 松尾 望 ,  愛清 武 ,  岡崎 孝行
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 飯田 敏三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-156103
公開番号（公開出願番号）：特開平6-349748
出願日： 1993年06月02日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：

【要約】【構成】 反応管1中で複数の半導体基板4を回転軸3を中心に速度500rpm以上2000rpm以下で公転させる半導体気相成長装置において、前記回転軸側に対し周方向側を位置的に高くし、かつ、この傾斜角度を1°以上15°以下としたサセプタ8の傾斜面上に前記半導体基板を配置する半導体気相成長装置。【効果】 同時に処理される複数の半導体基板上の全面に均一性良好な結晶薄膜を形成することが可能となり、生産性向上に直結する。

請求項（抜粋）：

反応炉中で複数の半導体基板を回転軸を中心に速度500rpm以上2000rpm以下で公転させる半導体気相成長装置において、前記回転軸側に対し周方向側を位置的に高くし、かつ、この傾斜角度を1°以上15°以下とした傾斜面上に前記半導体基板を配置することを特徴とする半導体気相成長装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/12 ,  C30B 25/14 ,  C30B 29/40