特許

J-GLOBAL ID：200903013504400980

堆積膜形成装置

発明者： 須貝 浩士 ,  金井 正博
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-336222
公開番号（公開出願番号）：特開2002-146542
出願日： 2000年11月02日
公開日（公表日）： 2002年05月22日
要約：

【要約】【課題】 プラズマCVD法により基体上に堆積膜を形成するに際し、比較的大きなマイクロ波投入電力を長時間安定的に放電空間に伝送して均質なプラズマを形成し、高品質で優れた均一性を有する光起電力素子等の半導体薄膜を形成する。【解決手段】 排気手段を備えた真空容器102と、真空容器に堆積膜形成用原料ガスを供給する手段205と、堆積膜形成用原料ガスをプラズマ化させるためのマイクロ波電力を供給するマイクロ波供給手段とを有し、真空容器内に設置された基板上にマイクロ波プラズマCVD法により堆積膜を形成する装置において、マイクロ波供給手段のプラズマに暴露される面に、溝形状を有する誘電体窓104を配設する。

請求項（抜粋）：

排気手段を備えた真空容器と、該真空容器に堆積膜形成用原料ガスを供給する手段と、堆積膜形成用原料ガスをプラズマ化させるためのマイクロ波電力を供給するマイクロ波供給手段とを有し、該真空容器内に設置された基板上にマイクロ波プラズマCVD法により堆積膜を形成する装置において、該マイクロ波供給手段のプラズマに暴露される面に、溝形状を有する誘電体窓が配設されていることを特徴とする堆積膜形成装置。

IPC (3件)：

C23C 16/511 ,  B01J 19/08 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C23C 16/511 ,  B01J 19/08 H ,  H01L 21/205

Fターム (35件)：

4G075AA24 ,  4G075BC04 ,  4G075CA26 ,  4G075CA47 ,  4G075DA01 ,  4G075EB01 ,  4G075FA05 ,  4G075FC11 ,  4G075FC15 ,  4G075FC20 ,  4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BA30 ,  4K030BB04 ,  4K030CA06 ,  4K030FA01 ,  4K030KA46 ,  5F045AB04 ,  5F045AC02 ,  5F045AC16 ,  5F045AD06 ,  5F045AE02 ,  5F045AE03 ,  5F045AE05 ,  5F045AE07 ,  5F045AE09 ,  5F045AE11 ,  5F045AE13 ,  5F045AE15 ,  5F045DP13 ,  5F045EH03 ,  5F045EH11 ,  5F045EK07