特許

J-GLOBAL ID：200903013510046668

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： 上田 哲也 ,  上田 聡
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-240374
公開番号（公開出願番号）：特開平10-092808
出願日： 1996年09月11日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：

【要約】【課題】比誘電率が低く、かつ耐熱性の高い絶縁膜を形成する。【解決手段】シリコン基板1に、吸液絶縁膜5や、所定の処理によりガスを発生させる潜気絶縁膜11を形成したうえで、これらの絶縁膜5,11を液体および液体の蒸気ないしガスを透過させない被覆膜6,12によって覆い、絶縁膜5,11中から発生する蒸気や気体により、絶縁膜5,11にマイクロボイド7,13を形成して、比誘電率を低下させる。

請求項（抜粋）：

半導体基板に、液体を吸収した吸液絶縁膜を形成する工程と、液体および該液体の蒸気を透過させない被覆膜によって前記吸液絶縁膜を覆う工程と、前記液体を気化させることで前記吸液絶縁膜にマイクロボイドを形成する工程と、前記被覆膜を除去したうえで、前記吸液絶縁膜中の残存液体を蒸発させて除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/316 G ,  H01L 21/90 K ,  H01L 21/95