特許
J-GLOBAL ID：200903013510795911
薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-162074
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335337
出願日： 1992年05月28日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：
【要約】【目的】 絶縁膜と半導体薄膜との界面に金属や重金属などの不純物が存在しない高品質の薄膜トランジスタを、簡便なプロセスで製造する方法を提供する。【構成】 アニール室1においてガラス基板上に多結晶シリコン膜を形成したのち、このシリコン膜上にシリコン酸化膜(ゲート絶縁膜)を形成する直前に、ガラス基板をクリーニング室2に移動させ高純度の塩素ガス中でレーザ光照射装置4によりArFエキシマレーザを照射し、多結晶シリコン膜上の金属不純物を塩化物として除去する。
請求項（抜粋）：
少なくとも表面が絶縁物質である基板上に形成された半導体薄膜を活性層として有する薄膜トランジスタを形成するにあたり、前記半導体薄膜上にゲート絶縁膜を成膜する直前に、光エネルギーを用いて、前記半導体薄膜上の不純物を除去することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 21/304 341
, H01L 27/12
