特許

J-GLOBAL ID：200903013513277792

バリウム化合物およびそれを用いた薄膜の製造法

発明者： 佐藤 弘次 ,  菅原 駿吾
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-005727
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136063
出願日： 1992年01月16日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】気化性、熱安定性および薄膜形成の再現性において優れた特性を持つ新規なバリウム化合物を用い、CVD法によって高品質のバリウム元素を含むチタン酸バリウム等の酸化物薄膜、高温超伝導体薄膜、フッ化バリウム薄膜、フッ化物ガラス薄膜等の機能性バリウム化合物薄膜を製造する。【構成】化学気相成長法により、基材上にバリウム化合物を含む薄膜の製造方法において、次の(化1)で示される一般式〔式中、R1、R2はC1〜8のアルキル基(ただしR1、R2は、それらが結合する窒素原子と共に複素環を形成し得るアルキル基)、またはトリメチル基を表わす。〕で示されるバリウム化合物、または該バリウム化合物の酸素含有化合物または窒素含有化合物とのアダクツ化合物を用いる。【効果】低い基材温度で、薄膜成長の再現性がよく、高性能のバリウム化合物薄膜が得られる。

請求項（抜粋）：

一般式【化1】〔式中、R1、R2は炭素数が1〜8のアルキル基(ただしR1、R2は、それらが結合する窒素原子と共に複素環を形成し得るアルキル基)、またはトリメチルシリル基を表わす。〕で示されるバリウム化合物。