半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-185678
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009278
出願日： 2000年06月21日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：

【要約】【課題】トランジスタ近傍に窒化膜が存在しても、シリコン酸化膜中のヒ素の増速拡散やシリコン基板中のヒ素の増速拡散を起こさない、またトンネル酸化膜の劣化を引き起こすことの無い半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 SiH2Cl2を原料ガスとして使用し、高温にて成膜を行うことにより、また原料ガスとして四塩化シリコンを使用して、Si-H結合の無いシリコン窒化膜13を形成できる。また、低温で窒化膜成膜後に成膜温度より高い温度でアニールを行うことにより窒化膜中の水素を一旦脱離した後、高温工程を行うことでSi-H結合の影響を抑制できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にゲート電極を形成する工程と、ゲート電極周囲にSiCl4を原料ガスとしてシリコン窒化膜を成膜する工程と、半導体基板中にソース、ドレイン領域を形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (10件)：

H01L 29/78 , C23C 16/34 , H01L 21/318 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 21/8247 , H01L 27/115 , H01L 21/336 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (7件)：

C23C 16/34 , H01L 21/318 B , H01L 29/78 301 G , H01L 27/08 321 D , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 301 L , H01L 29/78 371

Fターム (66件)：

4K030AA03 , 4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030AA24 , 4K030BA35 , 4K030BA40 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA09 , 4K030FA10 , 4K030LA15 , 5F001AA25 , 5F001AA30 , 5F001AA43 , 5F001AB08 , 5F001AD94 , 5F001AF06 , 5F001AF07 , 5F001AG02 , 5F001AG03 , 5F001AG21 , 5F001AG30 , 5F040DA06 , 5F040DB03 , 5F040DC01 , 5F040EA08 , 5F040EC07 , 5F040ED03 , 5F040EF02 , 5F040FA05 , 5F040FA07 , 5F040FA12 , 5F040FA16 , 5F040FB02 , 5F040FC21 , 5F048AA07 , 5F048AB01 , 5F048AB03 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BC06 , 5F048BE10 , 5F048BG13 , 5F048BG14 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F058BA20 , 5F058BC08 , 5F058BF02 , 5F058BF24 , 5F058BF30 , 5F058BJ01 , 5F083EP04 , 5F083EP23 , 5F083EP27 , 5F083EP55 , 5F083EP63 , 5F083EP68 , 5F083GA25 , 5F083JA04 , 5F083JA19 , 5F083NA01 , 5F083PR12 , 5F083PR21 , 5F083PR33

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