特許

J-GLOBAL ID：200903013518893068

半導体装置の製造方法

発明者： 三谷 康弘 ,  田仲 広久
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-065577
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275645
出願日： 1993年03月24日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：

【要約】【目的】 シリサイドを形成するためのアニール処理工程の短縮。【構成】 基板1上に半導体層を積層し、該半導体層上に所望パターンの金属層107を形成したあと、該金属層107を介して半導体層に不純物イオン100の注入を行い不純物半導体層(6a及び6b)を形成し、かつ同時に該不純物半導体層(6a及び6b)の表面層に金属シリサイド層(7a及び7b)を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

基板上に半導体層を積層し、該半導体層上に所望パターンの金属層を形成したあと、該金属層を介して半導体層に不純物イオンの注入を行い不純物半導体層を形成し、かつ同時に該不純物半導体層の表面層に金属シリサイド層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/265 ,  H01L 29/40 ,  H01L 29/46

FI (3件)：

H01L 29/78 311 P ,  H01L 21/265 A ,  H01L 21/265 H