特許

J-GLOBAL ID：200903013518950851

半導体素子および強誘電体コンデンサ

発明者： パプ・デー・マニアー ,  リザ・モザミ ,  シー・ジョセフ・モガブ
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 本城 雅則 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-147041
公開番号（公開出願番号）：特開平7-099290
出願日： 1994年06月07日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 半導体素子内のある領域が酸化、還元されるのが望ましくない場合、その可能性を低減するため当該領域に隣接して保護層を形成した素子を提供する。【構成】 基板10内にドープ領域11、パターニングされた酸化物層12とSiプラグ13を含む。基板が酸化されるとSiプラグの一部にSiO2層が生成するので、プラグ上に相互接続部を形成する前にSiO2を除去する必要があるが、それと共に酸化物層も一部除去される可能性がある。従って酸化物層12上に導体層21が形成されパターニングされて、プラグ13上に保護用キャップが形成される。導体層21は単体金属と導電性金属酸化物の混合物からなり、例えばRuとRuO2、ReとReO2かReO3、IrとIrO2などからなる。導体層上にマスク層を形成し、露出部分をエッチングしパターニングする。Siプラグは層21で覆われるので酸化され難く、またRuとRuO2で構成されても良く電気的接続が保たれる。

請求項（抜粋）：

主面を有する基板(10,80);前記主面に隣接する前記基板内にある位置(11);および前記基板の上にある位置(132,41,101,122,134,135,132,41,101,122,135,141,144,145);から成るグループから選択された位置にある第1領域;ならびに前記第1領域の上に配置される第1層(21,161,61,81,111,121,125,133,および137);から成り、前記第1層は単体金属およびその導電性金属酸化物を含み;前記単体金属は、酸化中に前記導電性金属酸化物に酸化され得るものであり;前記導電性金属酸化物は、還元中に前記単体金属に還元され得るものであり;前記酸化および還元は可逆的反応であり;および前記第1層は、第1反応において前記第1領域が反応するのに優先して、前記可逆的反応の一方において反応することを特徴とする半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01G 4/33 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/04 C ,  H01G 4/06 102