特許
J-GLOBAL ID：200903013520687637
力変換素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
布施 行夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-360427
公開番号（公開出願番号）：特開平6-201492
出願日： 1992年12月29日
公開日（公表日）： 1994年07月19日
要約：
【要約】【目的】 力が印加されない状態でのオフセット電圧が0でありながら、素子感度の高い高性能の力変換素子を提供すること。【構成】 (011)面を有するSi単結晶体30と、Si単結晶体30の<001>方向および<00-1>方向に形成された一対の入力電極60a,60bと、<010>方向および<0-10>方向に形成された一対の出力電極62a,62bと、Si単結晶体30の(011)面に接合された力伝達ブロック体40と、Si単結晶体30の前記接合面と反対側の面に接合された支持台座50と、を含む力変換素子である。
請求項（抜粋）：
受圧面として(011)面または(0-1-1)面を有するように形成されたSi単結晶体と、前記Si単結晶体の<001>方向および<00-1>方向に形成された一対の第1電極と、<010>方向および<0-10>方向に形成された一対の第2電極とを有し、これらの一方を入力電極、他方を出力電極として用いる複数の電極と、前記Si単結晶体の受圧面に接合され、加えられた圧縮力をその結晶面に垂直に伝達する力伝達ブロック体と、前記Si単結晶体の前記受圧面と反対側の面に接合された支持台座と、を含み、前記Si単結晶体は、<011>方向への圧縮力の印加にともない、<01-1>方向および<0-11>方向に引張応力が発生する構成としたことを特徴とする力変換素子。
IPC (2件)：
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