特許
J-GLOBAL ID：200903013521420073
半導体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-055883
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256201
出願日： 1997年03月11日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】 本発明の目的は、加工ダメ-ジを発生することなく、寸法の大きなパタ-ン部と微細なパタ-ン部を同一平面に平坦化するための加工法、およびそのための装置を提供することにある。本発明の第2の目的は、ランニングコストの低い加工方法とそのための加工装置を提供することにある。【解決手段】 上記目的は、従来の研磨パッドと研磨スラリを用いた遊離砥粒研磨加工に代え、研磨工具の弾性率(硬さ)をコントロ-ルした砥石を用いる固定砥粒加工法とすることにより、達成できる。さらに、微小なスクラッチを完全に解消するには、従来のように一回の加工だけで全てのパタ-ンを平坦化するのではなく、砥石である研磨工具を用いて平坦化加工し、その後に前記加工に用いた砥石よりも軟質な砥石を用いて平坦化加工するという多段階加工をすることにより達成できる。
請求項（抜粋）：
凹凸パタ-ンが形成されている半導体基板の表面上に薄膜を形成する工程と、該半導体基板の該薄膜が形成されている面を研磨工具表面上に押しつけて相対運動させながら該凹凸パタ-ンを平坦化する工程、を含む半導体製造方法において、砥粒とこれら砥粒を結合、保持するための物質から構成される上記研磨工具の弾性率が異なる、少なくとも2種類以上の該研磨工具を用意し、弾性率の高い第一の研磨工具で平坦化加工後に第一の研磨工具より弾性率の低い第二の研磨工具で加工する工程を含むことを特徴とする半導体の製造方法。
引用特許：
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