特許

J-GLOBAL ID：200903013527732204

集積回路

発明者： サイレシュ チティペディ ,  ウイリアム トーマス コクラン
出願人/特許権者： エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-200278
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153922
出願日： 1994年08月03日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：

【要約】【目的】 ボンドパッドの下の基板領域を有効に利用して、ボンディングプロセスにおける熱的、機械的ストレスを緩和させることである。【構成】 本発明の集積回路は、ボンドパッド219の下に活性回路203(活性素子)を形成する際に熱応力を除去する為に、ボンドパッド219と活性素子を有する半導体層との間に、複数のパターン化された金属層211,215,219を形成する。このパターン化された金属層の間、およびこの金属層とボンドパッドとの間、このボンドパッドと活性回路との間に誘電体層を形成することである。ボンドパッドに最近接の金属層215は、活性素子をボンディングプロセスにより生成されるストレスから保護する。この金属層をパターン化して、活性領域の上の金属領域を形成し、それにより集積回路を電気的に絶縁している。

請求項（抜粋）：

基板(201)と、前記基板(201)の表面上に形成された活性素子(203)と、前記活性素子(203)の少なくとも一部の上に配置された金属ボンドパッド(219)と、前記金属ボンドパッド(219)と前記基板(201)との間に形成され、前記活性素子(203)の少なくとも一部の上を被う第2金属層(215)と、前記第2金属層(215)を前記金属ボンドパッド(219)と前記素子(203)から分離する誘電体層(214、213、217)と、前記金属ボンドパッド(219)から前記活性素子(203)に延びる導電体(251、255、215)と、からなることを特徴とする集積回路。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 27/04 E ,  H01L 29/78 301 X

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭64-022039
  
• 特開平4-027151