特許

J-GLOBAL ID：200903013529933100

半導体素子およびその製造方法

発明者： 太田 潔 ,  林 伸彦
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-028753
公開番号（公開出願番号）：特開2002-232007
出願日： 2001年02月05日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：

【要約】【課題】 熱処理による合金化を行わずに形成することが可能でありかつ製造工程や組み立て工程時における各種高温条件下においても極めて安定な特性を保持することが可能なオーミック電極を備えた半導体素子を提供することである。【解決手段】 発光ダイオード素子100は、サファイア基板1上に、n-GaN層2、発光層3およびp-GaN層4が順に積層されてなる。p-GaN層4上にp電極5が密着して形成されオーミック接触している。また、n-GaN層2上に、AlSi合金膜6およびZn膜7が順に積層されてなるn電極8が密着して形成されオーミック接触している。

請求項（抜粋）：

n型窒化物系半導体と、前記n型窒化物系半導体上に形成されたオーミック電極とを備えた半導体素子であって、前記オーミック電極は亜鉛を含む第1の金属膜を備えたことを特徴とする半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301

FI (3件)：

H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/28 301 H

Fターム (26件)：

4M104AA04 ,  4M104BB03 ,  4M104BB05 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD68 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104GG06 ,  4M104GG11 ,  4M104HH08 ,  4M104HH15 ,  4M104HH16 ,  4M104HH20 ,  5F041AA21 ,  5F041CA02 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA82 ,  5F041CA84 ,  5F041CA92 ,  5F041DA08

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-342941   出願人：ローム株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-326332   出願人：ローム株式会社
• 半導体発光素子用の電極
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-236117   出願人：昭和電工株式会社