半導体発光素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：竹村壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-333000
公開番号（公開出願番号）：特開平8-167733
出願日： 1994年12月14日
公開日（公表日）： 1996年06月25日
要約：

【要約】【目的】素子の側面から発生する光を減少させる発光効率の高い半導体発光素子を提供する。【構成】半導体発光素子は、n型GaAs半導体基板1と、この上に形成された複数の半導体層から構成された発光層30と、前記発光層の上に形成された光取り出し電極7とを備え、前記積層された複数の半導体層の側面又はこの側面及び前記発光層の前記光取り出し電極が形成されている面の1部に発光エネルギーより小さい禁制帯幅を有し、且つ高抵抗なGaAs半導体層13を備えている。また、発光層と電極7との間には電流拡散層5が介在されている。発光層はクラッド層2、活性層(n-InGaAlP)3、クラッド層4の積層体からなる。半導体発光素子の素子側面を被覆する高抵抗GaAs半導体層を通して電流がリークすることなく側面からの光を吸収し、側面光の発光を大幅に減じることができる。また、側面光の減少により光の指向性が良くなったので、従来素子の側面に配置していた反射板を省略する事ができるようになった。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成された複数の半導体層から構成された発光層と、前記発光層の上に形成された光取り出し側電極とを備え、前記積層された複数の半導体層の側面又はこの側面及び前記発光層の前記光取り出し側電極が形成されている面の1部に発光エネルギーより小さい禁制帯幅を有し、且つ高抵抗な半導体層を備えていることを特徴とする半導体発光素子。

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