特許
J-GLOBAL ID：200903013531191463
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中野 雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-189214
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013813
出願日： 1991年07月02日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：
【要約】【目的】 電流狭窄構造の半導体発光素子において、電流通路領域を形成するための拡散工程において、拡散深さの制御を容易にする。【構成】 n-GaAs基板1の上にn-AlGaAs下部クラッド層2、GaAs活性層3、p-AlGaAs上部クラッド層4、p-AlGaAs拡散ストップ層5、n-AlGaAs電流阻止層6及びp-AlGaAsキャップ層7を順次成長させた後、p-AlGaAsキャップ層7からp-AlGaAs拡散ストップ層5までZnを拡散させ、p-Zn拡散領域(電流通過領域)10を形成する。ここで、拡散ストップ層5の拡散レートは、電流阻止層6よりも小さくしてある。ついで、キャップ層7上にp側電極8を形成し、基板1の下面にn側電極9を形成する。
請求項（抜粋）：
活性層の上方に少なくとも1つのpn接合による電流阻止層が形成され、この電流阻止層の一部領域を貫通するように拡散によって電流通路領域を設けられた半導体発光素子において、前記電流阻止層の下面に電流阻止層よりも拡散レートの小さな層を形成したことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
引用特許：
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