特許

J-GLOBAL ID：200903013532595339

III属窒化物単結晶およびその製造方法

発明者： 岩井 真 ,  今井 克宏
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社
代理人 (2件)： 細田 益稔 ,  青木 純雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-322264
公開番号（公開出願番号）：特開2006-131454
出願日： 2004年11月05日
公開日（公表日）： 2006年05月25日
要約：

【課題】 III属窒化物単結晶の下地膜を形成したテンプレート上にIII属窒化物単結晶を育成するのに際して、下地膜のフラックスへの溶解を防止し、良質のIII属窒化物単結晶を安定して育成可能な方法を提供する。【解決手段】 表面にIII属窒化物単結晶の下地膜6が形成された基板5上に、ナトリウム金属を含むフラックス2を使用してIII属窒化物単結晶を育成する際に、III属窒化物単結晶の育成温度よりも低い保持温度で保持する前処理工程を設ける。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

表面にIII属窒化物単結晶の下地膜が形成された基板上に、ナトリウム金属を含むフラックスを使用してIII属窒化物単結晶を育成する方法であって、 育成される前記III属窒化物単結晶の育成温度よりも低い保持温度で保持する前処理工程、および 前記III属窒化物単結晶を育成する単結晶育成工程を有することを特徴とする、III属窒化物単結晶の育成方法。

IPC (2件)：

C30B 29/38 ,  C30B 11/06

FI (2件)：

C30B29/38 D ,  C30B11/06

Fターム (9件)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077CD05 ,  4G077EA01 ,  4G077EA02 ,  4G077ED06 ,  4G077HA02 ,  4G077MB12 ,  4G077MB33

引用特許：

出願人引用 (2件)

• GaN単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-097551   出願人：科学技術振興事業団
• III族窒化物結晶成長方法およびIII族窒化物結晶成長装置およびIII族窒化物結晶および半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-018507   出願人：株式会社リコー

審査官引用 (2件)

• III族元素窒化物結晶の製造方法、それにより得られたIII族元素窒化物結晶およびそれを用いた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-081133   出願人：松下電器産業株式会社, 森勇介
• III族窒化物結晶、その成長方法、成長装置および半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-325500   出願人：株式会社リコー