配線パターンの形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-295950
公開番号（公開出願番号）：特開2003-100616
出願日： 2001年09月27日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】【課題】気泡のないレジスト層を得て、断線や短絡のない配線パターンの形成方法を提供する。【解決手段】順次下記(1)〜(8)の各工程を経る配線パターンの形成方法。(1)ガラス基板1上にITO電極2を形成する。(2)ITO電極2上にレジスト液を塗布して、所要の層厚のレジスト層よりも大きな厚みのレジスト膜を被着させたレジスト塗布基板を作製する。(3)レジスト塗布基板を減圧した容器内に挿入して、レジスト膜に存在する気泡4を表層部分に上昇させる。(4)レジスト塗布基板を加熱する。(5)レジスト膜の表層部分を研削し除去する。(6)前工程にて得られたレジスト膜の所定部位に対し露光して、硬化した所要の層厚のレジスト層を得る。(7)現像してパターニングした所要の層厚のレジスト層を得る。(8)パターニングしたレジスト層にて露出された導電性層の部分をエッチングにより除去する。

請求項（抜粋）：

順次下記(1)〜(8)の各工程を経て、基板上に形成した導電性層をパターンニングして成る配線パターンの形成方法。(1)基板上に導電性層を形成する。(2)導電性層の上にレジスト液を塗布して、所要の層厚のレジスト層よりも大きな厚みのレジスト膜を被着させたレジスト塗布基板を作製する。(3)レジスト塗布基板を減圧した容器内に挿入して、レジスト膜に存在する気泡を表層部分に上昇させる。(4)レジスト塗布基板を加熱する。(5)レジスト膜の表層部分を研削し除去する。(6)前工程にて得られたレジスト膜の所定部位に対し露光して、硬化した所要の層厚のレジスト層を得る。(7)現像してパターニングした所要の層厚のレジスト層を得る。(8)パターニングしたレジスト層にて露出された導電性層の部分をエッチングにより除去する。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/38 501

FI (2件)：

G03F 7/38 501 , H01L 21/30 565

Fターム (5件)：

2H096AA27 , 2H096BA01 , 2H096DA10 , 2H096HA17 , 5F046JA22

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