特許
J-GLOBAL ID:200903013536985964

圧電セラミックスの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 上野 登
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-034904
公開番号(公開出願番号):特開2005-228865
出願日: 2004年02月12日
公開日(公表日): 2005年08月25日
要約:
【課題】 温度を下げるに伴い、その結晶構造が立方晶、正方晶、斜方晶へと変化する圧電セラミックスにおいて、分極度を安定に増大、飽和させることが可能な圧電セラミックスの製造方法を提供すること。【解決手段】 本発明に係る圧電セラミックスの製造方法は、高温で立方晶の結晶構造を有し、温度を下げると正方晶、斜方晶へと可逆的に相転移する圧電セラミックスを、正方晶となる温度領域において第1の分極処理を行う第1工程と、前記圧電セラミックスを、斜方晶となる温度領域において、かつ、前記第1の分極処理と同一方向に第2の分極処理を行う第2工程とを備えていることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
高温で立方晶の結晶構造を有し、温度を下げると正方晶、斜方晶へと可逆的に相転移する圧電セラミックスを、正方晶となる温度領域において第1の分極処理を行う第1工程と、 前記圧電セラミックスを、斜方晶となる温度領域において、かつ、前記第1の分極処理と同一方向に第2の分極処理を行う第2工程とを備えた圧電セラミックスの製造方法。
IPC (3件):
H01L41/22 ,  C04B35/495 ,  H01L41/187
FI (3件):
H01L41/22 B ,  C04B35/00 J ,  H01L41/18 101J
Fターム (9件):
4G030AA02 ,  4G030AA03 ,  4G030AA04 ,  4G030AA20 ,  4G030AA21 ,  4G030AA42 ,  4G030BA10 ,  4G030CA01 ,  4G030CA02
引用特許:
出願人引用 (5件)
  • 特許第2783022号公報
  • 特許第3070799号公報
  • 特許第3075033号公報
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