ドライエッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-213205
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066211
出願日： 1993年08月27日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：

【要約】【目的】層間絶縁膜(SiO2 )とポリシリコン層が被エッチング面に同時に露出する場合の接続孔の形状異常(トレンチング)を防止する。【構成】層間絶縁膜2,5,7の間に2層のポリシリコン層3,6が介在されている積層膜に側壁コンタクト・ホール10を形成する場合、レジスト・マスク8の開口部9の幅よりもパターン幅の狭い2層めポリシリコン層3の直下に窒化シリコン層(Si3 N4 )4を敷設しておき、層間絶縁膜5のエッチングをその露出面で停止させる。その後、2層めポリシリコン層3を選択的に除去すれば被エッチング面が平坦に補正され、以降のエッチング中にもトレンチングが生じない。窒化シリコン層4は2層めポリシリコン層3の直上に積層しても良い。

請求項（抜粋）：

第1の絶縁膜の膜厚方向の中途部に少なくとも1層の導電材料層が介在されてなる積層膜を、これを保持する基板に対して選択性を確保しながらその所定領域をエッチングするドライエッチング方法において、前記導電材料層の少なくとも1層の直上に前記第1の絶縁膜に対してエッチング選択性を有する第2の絶縁膜を積層して前記積層膜を構成し、この積層膜のエッチングを、前記第2の絶縁膜が露出するまでエッチングする工程と、前記第2の絶縁膜をエッチングする工程と、前記第2の絶縁膜の直下の導電材料層を前記第1の絶縁膜とエッチング速度が等しくなる条件でエッチングする工程と、残余部を前記基板が露出するまでエッチングを行う工程とに分けて行うことを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3213 , H01L 21/3065 , H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/88 D , H01L 21/302 J , H01L 21/90 C

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