特許

J-GLOBAL ID：200903013538636088

誘導結合型プラズマCVD装置

発明者： 福山 聡 ,  浅野目 裕
出願人/特許権者： 東芝機械株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-172353
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022279
出願日： 1996年07月02日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：

【要約】【課題】 装置コスト及びランニングコストの増大を招くことなく、良質のCVD薄膜を効率良く形成することが可能な誘導結合型プラズマCVD装置を提供すること。【解決手段】 本発明の誘導結合型プラズマCVD装置は、排気手段43を備えた反応室1と;反応室1の内部で被処理材20を支持するステージ41と;ステージ41に対向する様に設けられた誘電体窓5と;誘電体窓5に近接して反応室の外部に配置されたリング状アンテナ6と;リング状アンテナ6に高周波電力を供給する第一の電源8と;誘電体窓5に近接して反応室1の内部に配置された酸素ガス供給ノズル14と;ステージ41の被処理材20を支持する面に近接して配置された反応ガス供給ノズル21と;酸素ガス供給ノズル14と反応ガス供給ノズル21との間に配置されたグリッド状の電極51と;を備える。

請求項（抜粋）：

反応室と、反応室の内部を排気する排気手段と、反応室の内部に配置され、被処理材を支持するステージと、前記ステージに対向する様に設けられ、反応室を構成する界壁の一部なす誘電体窓と、前記誘電体窓に近接して反応室の外部に配置されたアンテナと、前記アンテナに高周波電力を供給する第一の電源と、前記誘電体窓に近接して反応室の内部に配置され、反応室の内部に酸素ガスを供給する酸素ガス供給ノズルと、前記ステージの被処理材を支持する面に近接して配置され、反応室の内部に反応ガスを供給する反応ガス供給ノズルと、を備えた誘導結合型プラズマCVD装置において、前記酸素ガス供給ノズルと前記反応ガス供給ノズルとの間に、グリッド状の電極を配置するとともに、このグリッド状の電極に電圧を供給する第二の電源を設けたことを特徴とする誘導結合型プラズマCVD装置。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205