特許

J-GLOBAL ID：200903013545764989

半導体基板および半導体素子

発明者： 北畠 真
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 大前 要
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-227004
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121748
出願日： 1998年08月11日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】 高耐圧で、電流容量も大きい半導体素子を形成する。【解決手段】 MOSトランジスタは、SiC基板12の表面にSi薄膜13をヘテロエピタキシャル成長させた半導体基板11を用いて構成されている。ソース電極38およびドレイン電極34は、上記SiC基板12が出力電流経路中に介在するように設けられている。

請求項（抜粋）：

電気伝導性の炭化珪素結晶の表面に結晶成長させた珪素薄膜を含むことを特徴とする半導体基板。

IPC (7件)：

H01L 29/78 ,  C30B 29/06 504 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/161 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (7件)：

H01L 29/78 652 T ,  C30B 29/06 504 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 301 F ,  H01L 29/163 ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/78 301 B