特許
J-GLOBAL ID：200903013546688437

縦型ホットウォールCVDエピタキシャル装置、SiCエピタキシャル成長方法及びSiCエピタキシャル成長膜

発明者：
藤原 広和

藤原 広和 について

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旦野 克典

旦野 克典 について

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木本 恒暢

木本 恒暢 について

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東城 哲朗

東城 哲朗 について

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松波 弘之

松波 弘之 について


出願人/特許権者：
東洋炭素株式会社

東洋炭素株式会社 について


代理人 (2件)： 梶 良之 ,  須原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-344458
公開番号（公開出願番号）：特開2005-109408
出願日： 2003年10月02日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：
【課題】剥離やクラックの発生が抑制されるサセプタを用いた縦型ホットウォールCVDエピタキシャル装置、この装置を用いたSiCエピタキシャル成長方法及びこれらの装置と方法とを用いて形成されるSiCエピタキシャル成長膜を提供する。【解決手段】縦型ホットウォールCVDエピタキシャル装置1は、エピタキシャル成長室2と、エピタキシャル成長室2内へガス供給制御するガス供給制御弁3と、エピタキシャル成長室2内をガス供給制御弁3と共に圧力制御する弁4と、エピタキシャル成長室2外壁周辺部に螺旋状に配置されるRFコイル5と、エピタキシャル成長室2の中心に配置される角筒形状の黒鉛からなる第1サセプタ8と、第1サセプタ8内部に設けられる角筒形状の黒鉛からなる第2サセプタ9とを備えてなる。高速成長、高精度のエピ膜を得るには、装置1を用いた所定のエピ成長方法を用いる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ガスが下から上の方向に流れるように給気口と排気口とが設けられている結晶成長を行うエピタキシャル成長室と、 前記エピタキシャル成長室の内部中心に中心軸が上下方向となるように配置され、黒鉛で一体成形されてなる角筒形状の第1サセプタと、 前記第1サセプタの内部に設けられ、内壁にSiCウェハが対面して設置可能であって、黒鉛で一体成形されてなる角筒形状の第2サセプタと、 前記給気口側に設けられている前記エピタキシャル成長室内へのガスの供給を制御する手段と、 前記排気口側に設けられ、前記ガスの供給を制御する手段と共に、前記エピタキシャル成長室内の圧力を制御する弁と、 前記エピタキシャル成長室の外壁周辺部に螺旋状に配置されるRFコイルと を備えてなる縦型ホットウォールCVDエピタキシャル装置。
IPC (4件)：
H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C23C16/46 ,  C30B29/36
FI (4件)：
H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C23C16/46 ,  C30B29/36 A
Fターム (47件)：
4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DB07 ,  4G077EA02 ,  4G077ED05 ,  4G077EG20 ,  4G077HA06 ,  4G077TA04 ,  4G077TB02 ,  4G077TD01 ,  4G077TD02 ,  4G077TE02 ,  4G077TE05 ,  4G077TF03 ,  4G077TF04 ,  4G077TG03 ,  4G077TK06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA20 ,  4K030BA37 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030KA23 ,  4K030KA47 ,  4K030LA12 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC19 ,  5F045AD18 ,  5F045AE25 ,  5F045AF02 ,  5F045BB13 ,  5F045BB14 ,  5F045DP05 ,  5F045DP09 ,  5F045DP18 ,  5F045EK03 ,  5F045EM02 ,  5F045EM09 ,  5F045GB05
引用特許：
審査官引用 (3件)

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