特許

J-GLOBAL ID：200903013553557038

薄膜トランジスタ液晶基板検査方法及びその装置

発明者： 前田 俊二 ,  小野 眞 ,  窪田 仁志
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-184963
公開番号（公開出願番号）：特開平6-051011
出願日： 1992年07月13日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】薄膜トランジスタ液晶基板上に存在している種々の短絡欠陥を高感度に、しかも基板に非接触にして、速やかに検出可能な薄膜トランジスタ液晶基板検査方法とその装置を供する。【構成】薄膜トランジスタ液晶基板30における複数の走査線および信号線を何れも一方の端子側で電気的に共通に接続した上、該走査線・信号線間に電圧を印加した時点から所定時間経過後に画素領域外での赤外画像を検出する一方、電圧の印加が停止された時点から所定時間経過後に画素領域外での赤外画像を検出し、発熱状態の変化に係る走査線および信号線を、電圧印加状態での赤外画像と、電圧印加停止状態での赤外画像との差、あるいは商から検出することによって、短絡欠陥が発生している画素番地を特定する。

請求項（抜粋）：

薄膜トランジスタ液晶基板における走査線と信号線の間に電圧を印加し、該走査線と信号線間に流れる電流による発熱状態の変化を赤外画像によって監視することによって、走査線と信号線間に存在している短絡欠陥を検出することを特徴とする薄膜トランジスタ液晶基板検査方法。

IPC (5件)：

G01R 31/00 ,  G01R 31/02 ,  G01R 31/302 ,  G02F 1/133 ,  G09G 3/36

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-185454
  
• 特開平2-064594
  
• 特開平2-281133