半導体装置とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-260328
公開番号（公開出願番号）：特開平11-102917
出願日： 1997年09月25日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：

【要約】【課題】高耐圧特性を維持し、工程負担が少ない新規な構造のパワーデバイス用半導体装置とその製造方法を提供することである。【解決手段】半導体基板上にエピタキシャル半導体層を形成する工程と、前記エピタキシャル半導体層表面に溝を形成する工程と、前記エピタキシャル半導体層表面上にゲート酸化膜とゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極を注入マスクとして用い、前記溝の周囲のエピタキシャル半導体層に第2導電型に寄与する不純物イオンを注入し、その後半導体基板をアニールし、ベース領域を形成する工程とを有する。1回のイオン注入工程により、中央に深い拡散領域を有するベース領域を形成することができる。

請求項（抜粋）：

第1導電型もしくは第2導電型の半導体基板と、前記半導体基板の裏面に形成されたドレイン電極と、前記半導体基板の主表面に形成された第1導電型の半導体層と、前記半導体層の主表面に形成された第1溝と、前記第1溝の側面および底面を含む周囲に形成された第2導電型の第1不純物拡散領域と、前記第1溝の側面周囲に、前記溝より浅く形成された第1導電型の第2不純物拡散領域と、前記第2不純物拡散領域の露出表面と前記半導体層の露出表面とに挟まれた前記第1不純物拡散領域の露出表面を少なくとも覆うように形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有する半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/336 , H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 29/78 658 C , H01L 29/78 301 X , H01L 29/78 652 B , H01L 29/78 652 P

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-076235
特開昭62-018767
特開平1-272151

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