特許

J-GLOBAL ID：200903013558287454

歪みシリコン・オン・インシュレータ構造の製造方法

発明者： アンドリュー・エム・ジョーンズ ,  ル・フェイ
出願人/特許権者： エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 鮫島 睦 ,  田村 恭生
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-527936
公開番号（公開出願番号）：特表2009-506533
出願日： 2006年08月02日
公開日（公表日）： 2009年02月12日
要約：

本発明は、向上した表面特性、例えば、減少した粗さ、低濃度のLPD、およびより少ない汚染を有するシリコン・オン・インシュレータ(SSOI)構造、およびそのような構造物の製造方法に関する。

請求項（抜粋）：

歪みシリコン・オン・インシュレータ構造(SSOI)の製造方法であって、以下の工程: ドナーウエハの表面に緩和シリコン含有層を形成する工程; 緩和シリコン含有層の表面に歪みシリコン層を形成する工程; ハンドルウエハの表面に誘電体層を形成する工程; ドナーウエハとハンドルウエハとを結合させて結合構造物を形成し、該結合構造物において歪みシリコン層と誘電体層との間に結合界面を生じさせる工程; ハンドルウエハ上の歪みシリコン層がその表面に少なくとも約10nmの厚さの残留緩和シリコン含有層を有するように、緩和シリコン含有層内の分離面に沿って結合構造物を分離する工程;および 分離ハンドルウエハをエッチングして、残留シリコン含有層を実質的に除去して、歪みシリコン層の表面を露出させる工程 を有してなる方法。

IPC (2件)：

H01L 21/02 ,  H01L 27/12

FI (1件)：

H01L27/12 B