特許

J-GLOBAL ID：200903013558348224

CoPt系スパッタリングターゲットおよびその製造方法ならびにこれを用いた磁気記録膜およびCoPt系磁気記録媒体

発明者： 高島 洋
出願人/特許権者： 日立金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-085414
公開番号（公開出願番号）：特開2000-282229
出願日： 1999年03月29日
公開日（公表日）： 2000年10月10日
要約：

【要約】【課題】 膜特性が均一で記録再生特性に優れた記録層を有する磁気記録媒体を得ることができるCoPt系スパッタリングターゲットおよびその製造方法ならびに磁気記録膜およびCoPt系磁気記録媒体を提供する。【解決手段】 Coを主体としPtを必須とし4a族元素、5a族元素、6a族元素、B、Cから選ばれる元素のうち少なくとも一種以上を含有するターゲット材であって、ターゲット組織において実質的にPt単体からなる相の最大の内接円径が実質的に500μm以下であり、Pt相の境界にある拡散層の層厚が実質的に50μm以下であるCoPt系スパッタリングターゲットである。このターゲットにより、ディスクの半径方向で測定したPtの含有量の分析値の差が、±10%以下である均一なPt分布を有するハードディスク等に用いられる磁気記録膜を得ることができる。

請求項（抜粋）：

Coを主体としPtを必須とし4a族元素、5a族元素、6a族元素、B、Cから選ばれる元素のうち少なくとも一種以上を含有するターゲット材であって、ターゲット組織において実質的にPt単体からなる相の最大の内接円径が実質的に500μm以下であり、Pt相の境界にある拡散層の層厚が実質的に50μm以下であることを特徴とするCoPt系スパッタリングターゲット。

IPC (4件)：

C23C 14/34 ,  B22F 3/15 ,  C22C 19/07 ,  G11B 5/85

FI (4件)：

C23C 14/34 A ,  C22C 19/07 M ,  G11B 5/85 C ,  B22F 3/14 E

Fターム (12件)：

4K018AA10 ,  4K018DA21 ,  4K018KA29 ,  4K029BA24 ,  4K029BC06 ,  4K029BD11 ,  4K029CA05 ,  4K029DC04 ,  4K029DC09 ,  5D112AA05 ,  5D112BB05 ,  5D112FB06