特許
J-GLOBAL ID:200903013566032651

液中基板浸漬装置および液中基板浸漬処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 川崎 実夫 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-259592
公開番号(公開出願番号):特開2002-075944
出願日: 2000年08月29日
公開日(公表日): 2002年03月15日
要約:
【要約】【課題】基板処理に要する時間を増加させることなく基板に対する処理能力を向上する手段を提供する。【解決手段】CMP処理後の基板を洗浄するための基板洗浄装置には、水中ローダ10が備えられる。水中ローダ10は、水槽12を有していて、ブラシ洗浄前の基板Wを収容したカセットCは、水槽12内に貯留された純水中に浸漬される。水槽12の側壁12Aの外面には、超音波振動板30が配置されている。この超音波振動板30から発生した超音波振動は、側壁12Aおよび水槽12内の純水によって、基板Wの表面へと伝達される。側壁12Aの内表面には、純水供給ノズル31が配置されていて、水槽12内に側壁12Aから基板Wへと向かう水流を形成している。これにより、超音波振動の伝達効率の向上が図られている。
請求項(抜粋):
CMP処理後の基板を液体中を浸漬する液中基板浸漬装置であって、液体を貯留し、この液体中に基板を浸漬するための液槽と、この液槽内に貯留される液体中に浸漬された基板に対して、上記液槽中に貯留された液体を介して、超音波振動を付与する超音波振動板とを含むことを特徴とする液中基板浸漬装置。
IPC (5件):
H01L 21/304 642 ,  H01L 21/304 622 ,  B01J 19/10 ,  B08B 3/08 ,  B08B 3/12
FI (5件):
H01L 21/304 642 E ,  H01L 21/304 622 Q ,  B01J 19/10 ,  B08B 3/08 A ,  B08B 3/12 A
Fターム (21件):
3B201AA03 ,  3B201AB08 ,  3B201AB23 ,  3B201BA02 ,  3B201BB22 ,  3B201BB42 ,  3B201BB52 ,  3B201BB83 ,  3B201BB87 ,  3B201BB93 ,  3B201CB15 ,  3B201CB22 ,  3B201CC11 ,  4G075AA30 ,  4G075BB10 ,  4G075BD16 ,  4G075CA23 ,  4G075CA57 ,  4G075DA02 ,  4G075EB01 ,  4G075ED15
引用特許:
審査官引用 (8件)
  • 洗浄装置及び洗浄方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平10-160012   出願人:ティーディーケイ株式会社
  • ウエハ乾燥装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平10-110638   出願人:株式会社スーパーシリコン研究所
  • 半導体ウエハ用洗浄装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2000-182883   出願人:株式会社スーパーシリコン研究所
全件表示

前のページに戻る