特許

J-GLOBAL ID：200903013566890178

セメントグラウトによる地盤改良工法

発明者： 辻山 一 ,  丸田 博文
出願人/特許権者： 親和興産株式会社
代理人 (1件)： 藤井 信行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-151673
公開番号（公開出願番号）：特開平5-339934
出願日： 1992年06月11日
公開日（公表日）： 1993年12月21日
要約：

【要約】【目的】 本発明は地盤1内に挿入した単管ロッド2により地盤1内に均質な固結ステージ7の積重柱を形成することを目的とする。【構成】 地盤1中に単管ロッド2を挿入し、該ロッド2内にセメントミルク3及びセメント急硬剤4を独立的に同時に注入合流させて該ロッド2の先端部附近の地盤1内に圧入硬化させ粗間隙充填部5を形成する第1工程と、上記ロッド2内に上記セメントミルク3及び上記急硬剤4に代えて水6を独立的に同時に注入合流させてセメントミルク3の濃度を調整し、これを該ロッド2の先端部から上記粗間隙充填部5内に圧入して固結ステージ7を形成する第2工程とよりなり、上記ロッド2の下端部を該ステージ7の上方に上昇させて上記第1及び第2工程を繰返すことを特徴とする方法である。

請求項（抜粋）：

地盤中に単管ロッドを挿入し、該ロッド内にセメントミルク及びセメント急硬剤を独立的に同時に注入合流させて該ロッドの先端部附近の地盤内に圧入硬化させ粗間隙充填部を形成する第1工程と、上記ロッド内に上記セメントミルク及び上記急硬剤に代えて水を独立的に同時に注入合流させてセメントミルクの濃度を調整し、これを該ロッドの先端部から上記粗間隙充填部内に圧入して固結ステージを形成する第2工程とよりなり、上記ロッドの下端部を該ステージの上方に上昇させて上記第1及び第2工程を繰返すことを特徴とするセメントグラウトによる地盤改良工法。