特許

J-GLOBAL ID：200903013566992809

半導体装置の作製方法

発明者： 山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-121154
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354518
出願日： 1990年07月24日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】【課題】 特性、信頼性のよいキャパシタを有する半導体装置を作製する方法を提供する。【解決手段】トランジスタが形成された基板上に、前記トランジスタに接続された第1の電極を形成する工程と、窒素濃度が75%以上の気体を用いたスパッタリング法により、前記第1の電極上に窒化物でなる誘電体層を形成する工程と、前記誘電体層の上に第2の電極を形成する工程と、を有する。

請求項（抜粋）：

トランジスタが形成された基板上に、前記トランジスタに接続された第1の電極を形成する工程と、窒素濃度が75%以上の気体を用いたスパッタリング法により、前記第1の電極上に窒化物層を形成する工程と、前記窒化物層の上に第2の電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (6件)：

H01L 21/318 ,  C23C 14/06 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4件)：

H01L 21/318 B ,  C23C 14/06 A ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭60-005555
  
• 特開平1-218054
  
• 特開昭62-056570