特許
J-GLOBAL ID：200903013568329066
化合物半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐野 静夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-311826
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121453
出願日： 1991年10月29日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】【目的】上記電子分布の重心が変化しにくいHEMT構造の化合物半導体装置を提供する。【構成】アンド-プ半導体層2と、前記アンド-プ半導体層2上に形成され該アンド-プ半導体層2よりも電子親和力が小さく且つ不純物がド-プされたド-プ半導体層3と、前記ド-プ半導体層3上に形成されたゲ-ト電極4と、前記ド-プ半導体層3上に形成されたキャップ層5と、前記キャップ層5上にそれぞれ形成されたソ-ス電極6及びドレイン電極7と、を有する化合物半導体装置において、前記ド-プ半導体層3の下に電子親和力が徐々に大きくなる第1の高抵抗半導体チャンネル層9と、該第1の高抵抗半導体チャンネル層の下に電子親和力が徐々に小さくなる第2の高抵抗半導体チャンネル層10を設けた構成。
請求項（抜粋）：
アンド-プ半導体層と、前記アンド-プ半導体層上に形成され該アンド-プ半導体層よりも電子親和力が小さく且つ不純物がド-プされたド-プ半導体層と、前記ド-プ半導体層上に形成されたゲ-ト電極と、前記ド-プ半導体層上に形成されたキャップ層と、前記キャップ層上にそれぞれ形成されたソ-ス及びドレイン電極と、を有する化合物半導体装置において、前記ド-プ半導体層の下に電子親和力が徐々に大きくなる第1の高抵抗半導体チャンネル層と、該第1の高抵抗半導体チャンネル層の下に電子親和力が徐々に小さくなる第2の高抵抗半導体チャンネル層を設けたことを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
