特許
J-GLOBAL ID：200903013573782232
酸化物超電導体およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
阿仁屋 節雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-161242
公開番号（公開出願番号）：特開平11-011943
出願日： 1997年06月18日
公開日（公表日）： 1999年01月19日
要約：
【要約】【課題】高磁場下においても高い臨界電流密度を示す酸化物超電導体およびその製造する方法を提供すること。【解決手段】RE化合物(REはY,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Luから選ばれる1種又は2種以上の希土類元素)、Ba化合物及びそのCu化合物を含む原料混合体に、少なくとも該原料混合体の融点より高い温度領域における焼成工程を含む処理を施してREーBaーCuーO系酸化物超電導体を製造する酸化物超電導体の製造方法において、Mg,Al,Si,Ca,Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Zn,Sr,Zr,Nb,Mo,Tc,In,Sn,Sb,Te,Cs,La,Ce,Pr,Nd,Hf,Ta,W,Bi,の何れか1種ないし2種以上の元素を0.05wt%〜1wt%添加することで、高磁場下においても高い臨界電流密度を示す酸化物超電導体を製造することを可能にした。
請求項（抜粋）：
REBa2 Cu3 O7-X 相(REはY,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Luから選ばれる1種又は2種以上の希土類元素)中にRE2 BaCuO5 相が微細に分散した酸化物超電導体において、Mg,Al,Si,Ca,Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Zn,Sr,Zr,Nb,Mo,Tc,In,Sn,Sb,Tc,Cs,La,Ce,Pr,Nd,Hf,Ta,W,Biの何れか1種ないし2種以上の元素が0.05wt%〜1wt%含まれることを特徴とする酸化物超電導体。
IPC (4件)：
C01G 3/00 ZAA
, C01G 1/00
, C04B 35/45 ZAA
, H01L 39/00 ZAA
C01G 3/00 ZAA
, C01G 1/00 S
, H01L 39/00 ZAA S
, C04B 35/00 ZAA K
