特許
J-GLOBAL ID：200903013575689078
半導体装置,及び半導体装置の製造方法,及び製造装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-200739
公開番号（公開出願番号）：特開平9-051058
出願日： 1995年08月07日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板とその裏面に形成されたPHSからなる半導体チップをパッケージのベース金属上にはんだ付けする際の半導体チップの反りを低減する。【解決手段】 PHS4の裏面をパッケージのベース金属表面にはんだ付けすると同時に、半導体基板2の両端とベース金属5表面にAuリボンを圧着し、半導体チップ30の両端をこのAuリボンによりベース金属5表面に引き付ける。【効果】 はんだ溶融時に半導体チップ30の両端がベース金属5の表面に引き付けられるため、半導体チップ30の反りを低減させることができ、これにより半導体装置の信頼性,及び高周波特性を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
その表面の所定の領域に半導体素子が形成された半導体基板、及び該半導体基板の裏面に形成された放熱のための金属層であるPHSからなる半導体チップと、その表面に上記半導体チップのPHSがはんだを介して接着されたパッケージのベース金属と、上記半導体基板表面の両端の領域と該領域に隣接する上記パッケージのベース金属表面の領域にわたって設けられ、上記半導体基板表面,及び上記ベース金属表面に接着されている、上記半導体チップの両端を上記パッケージのベース金属の表面に引き付けるための金属帯とを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/40 F
, H01L 23/36 C
