特許
J-GLOBAL ID：200903013577346275
GaAs基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荒船 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-001242
公開番号（公開出願番号）：特開平9-194300
出願日： 1996年01月09日
公開日（公表日）： 1997年07月29日
要約：
【要約】【課題】 ウェハ面内の抵抗率の均一性に優れたGaAs基板を製造する方法を提供する。【解決手段】 半絶縁性のアンドープGaAs単結晶インゴットから切り出したウェハを、適量の砒素とともに石英製のアンプル内に真空封入する。封入する砒素の量は、1000°C以上1150°C以下の範囲の一定の熱処理温度でアンプル内がGaAsの化学量論平衡蒸気圧の0.6倍以下の砒素圧雰囲気となり、かつ800°C以上1000°C以下の範囲の一定の熱処理温度でアンプル内がGaAsの化学量論平衡蒸気圧の1.4倍以下の砒素圧雰囲気となる量である。そのアンプルを熱処理炉内の均熱域に配置し、ヒーターにより加熱し、1000°C以上1150°C以下の範囲の一定温度で第1段階アニールを行なう。しかる後、室温〜400°C以下の温度まで冷却する。続いて、その状態のまま、再びヒーターにより加熱して800°C以上1000°C以下の範囲の一定温度で第2段階アニールを行なう。
請求項（抜粋）：
育成されたGaAs単結晶より切り出したウェハを、GaAsの化学量論平衡蒸気圧の0.6倍以下の砒素圧雰囲気中で1000°C以上1150°C以下の一定温度で所定時間保持する第1段階アニールを行った後、一旦400°C以下まで冷却し、続いてGaAsの化学量論平衡蒸気圧の1.4倍以下の砒素圧雰囲気中で800°C以上1000°C以下の一定温度で所定時間保持する第2段階アニールを行った後、室温まで冷却するようにしたことを特徴とするGaAs基板の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 33/02
, C30B 29/42
, H01L 21/324
C30B 33/02
, C30B 29/42
, H01L 21/324 C
