特許

J-GLOBAL ID：200903013581527160

半導体装置

発明者： 宮城 武史 ,  栂嵜 隆 ,  舘山 和樹 ,  山田 浩 ,  森 三樹
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-062683
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256458
出願日： 1997年03月17日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】フラックスの使用が世界規模で禁止される方向にあり、フラックスを使用しないフリップチップ接続技術が要求されている。本発明では、容易な方法で、フラックスを用いずフリップチップ接合可能な半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、半導体チップと実装基板をハンダバンプを用いて接続するフリップチップ実装法を用いる。ハンダバンプを接続する相手側の電極の構造に、1ミクロン以上の高さの凹凸部を複数形成する。この凹凸の角部にハンダバンプを押し付けることによって、酸化膜が破壊され良好な接続を形成できる。

請求項（抜粋）：

実装基板と、この実装基板上に形成された第1の電極と、この第1の電極上に形成されたハンダからなるバンプ電極と、このバンプ電極に、第2の電極を介して接続された半導体チップとを具備し、前記第1の電極と第2の電極のうち少なくとも一方の電極の前記バンプ電極と接している面に、1ミクロン以上の凹凸を複数個形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/50 ,  H01L 23/12 ,  H05K 3/34 507

FI (3件)：

H01L 23/50 N ,  H05K 3/34 507 L ,  H01L 23/12 K