特許

J-GLOBAL ID：200903013583134395

露光マスク、露光方法、及び露光マスクの製造方法

発明者： 江崎 瑞仙
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-201487
公開番号（公開出願番号）：特開2001-028330
出願日： 1999年07月15日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
要約：

【要約】【課題】 マスク上のパターンサイズの大小に関係なく、高解像度のパターン露光・転写を一括して行える露光マスクを提供する。【解決手段】 露光マスクとして、露光光に対して透過性の高い膜上に透過膜パターン4を形成し、そのパターン凹部に複数の吸収体材料5,6を埋め込み、化学的機械研磨工程或いはエッチング工程により不要部分を取り除き、平坦化することにより作製したマスクを各種リソグラフィ用マスクとして用いる。本発明の露光マスクでは、パターンサイズの大小に関係なく、高解像度のパターン露光・転写が可能となる。

請求項（抜粋）：

露光光に対して透過性の高い膜、或いは反射防止膜、或いはエッチングストッパ膜上に吸収体からなる吸収体パターン、及びこの吸収体パターンとは異なる透過膜パターンとが形成されたマスク部と、このマスク部を支持する支持体とを備え、前記吸収体パターンは、第1の吸収体物質から成る膜と、露光光に対する吸収が前記第1の吸収体物質よりも大きい第2の吸収体物質から成る膜とを含むことを特徴とする露光マスク。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16

FI (2件)：

H01L 21/30 531 M ,  G03F 1/16 A

Fターム (12件)：

2H095BA10 ,  2H095BC05 ,  2H095BC10 ,  2H095BC11 ,  5F046GB04 ,  5F046GC04 ,  5F046GD01 ,  5F046GD02 ,  5F046GD03 ,  5F046GD15 ,  5F046GD16 ,  5F046GD20