特許
J-GLOBAL ID:200903013586092600

硼酸リチウム単結晶育成用容器及び硼酸リチウム単結晶の育成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 荒船 博司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-064223
公開番号(公開出願番号):特開平10-259098
出願日: 1997年03月18日
公開日(公表日): 1998年09月29日
要約:
【要約】【課題】 従来よりも速い育成速度でもって、クラック及び気泡のない良質の硼酸リチウム単結晶を育成することを可能とする結晶育成用容器及び該容器を用いた硼酸リチウム単結晶の育成方法を提供する。【解決手段】 結晶育成用容器1は、厚さ2mm以下のグラファイトもしくは白金等でできたるつぼ10とグラファイト製のサセプター11との間に、グラファイト製のフェルト12が介装されているものである。それによって、結晶育成時に、るつぼ10が塑性変形してるつぼ内面に育成結晶4とるつぼとの熱膨張係数差による応力でのクラックを防ぐとともに、グラファイト製フェルト12が緩衝材となって、るつぼ10の変形がサセプター11により妨げられないようになっている。【効果】 0.3mm/hr〜1.0mm/hrと従来よりも速い育成速度でもって、直径3インチ以上で長さ80〜150mmの良質の硼酸リチウム単結晶が得られる。
請求項(抜粋):
グラファイト製サセプターと、硼酸リチウムの結晶育成温度から室温に至るまでの全温度範囲で変形可能な特性を有するるつぼとの間に、熱伝導性が良くかつるつぼとサセプターとの間の応力を緩和可能な所定厚さのグラファイト製フェルトが設けられていることを特徴とする硼酸リチウム単結晶育成用容器。
IPC (4件):
C30B 29/22 ,  C30B 11/00 ,  H03H 3/08 ,  H03H 9/25
FI (4件):
C30B 29/22 C ,  C30B 11/00 C ,  H03H 3/08 ,  H03H 9/25 C

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